Samsung spouští hromadnou výrobu 9. generace V-NAND: 50 % vyšší hustota, 33 % vyšší rychlost
Samsung oznámil, že začal masovou výrobu nových paměťových čipů 9. generace vertikální NAND (V-NAND). Ty mají o 50 % vyšší hustotu bitů než produkty 8. generace.
Kromě toho podporují produkty 9. generace…
Samsung oznámil, že začal masovou výrobu nových paměťových čipů 9. generace vertikální NAND (V-NAND). Ty mají o 50 % vyšší hustotu bitů než produkty 8. generace.
Kromě toho podporují produkty 9. generace nové rozhraní NAND flash nazvané „Toggle 5.1“, které umožňuje rychlosti přenosu dat až 3,2 Gb/s, což je o 33 % vyšší než u předchozích generací. Navíc jsou nové čipy o 10 % účinnější využití energie.
Do vývoje 9. generace V-NAND Samsung vložil velké úsilí. Využil nových inovací, jako je vyhýbání se rušení buněk a prodlužování životnosti buněk. Kromě toho společnost…
FAQ:
1. Jaké jsou hlavní výhody nových čipů 9. generace V-NAND od Samsungu?
– Nové paměťové čipy mají o 50 % vyšší hustotu bitů než předchozí generace, podporují rychlosti přenosu dat až 3,2 Gb/s a jsou o 10 % účinnější využití energie.
2. Jaké inovace byly implementovány do vývoje 9. generace V-NAND?
– Do vývoje byly začleněny inovace jako je vyhýbání se rušení buněk a prodlužování životnosti buněk.
3. Jak se nové čipy 9. generace V-NAND odlišují od konkurenčních produktů?
– Nové chipy od Samsungu nabízejí vyšší hustotu bitů, podporují nové rozhraní „Toggle 5.1“ s rychlostmi až 3,2 Gb/s a jsou zároveň energeticky úspornější.