Samsung oslavuje prodeje čipů 3nm

Samsung započal výrobní proces čipů na 3nm GAA minulý měsíc a nyní oslavují první prodeje. Této oslavy se zúčastnilo okolo 100 lidí včetně firemní exekutivy a zaměstnanců.

Samsung Electronics započal výzkum GAA tranzistorů v roce 2000 a experimentovali s designem v roce 2017. Nyní je tento proces připraven na masivní výrobu. Oproti FinFET designu, který je tady několik let, tak GAA design umožňuje více tranzistorů na malé ploše.

Podle Samsungu jsou 3nm GAA čipy využívají o 45% méně energie a jsou o 23% rychlejší a 16% menší oproti 5nm FinFET čipů.