Samsung má svou mapku, kde ukazuje, že chce do roku 2022 zvládnout 3nm čipy
Minulý týden Samsung měl na Fóru v U.S jednu událost, kde odkryl perfektní mapku, kde prvně budou čipy disponovat 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early a 3nm Gate-All-Around Early/Plus. Nový 7nm LPP proces bude prvně, co Samsung použije EUV litografické řešení a do výroby se dostane v polovině tohoto roku. Následně bude k […]
Minulý týden Samsung měl na Fóru v U.S jednu událost, kde odkryl perfektní mapku, kde prvně budou čipy disponovat 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early a 3nm Gate-All-Around Early/Plus.
Nový 7nm LPP proces bude prvně, co Samsung použije EUV litografické řešení a do výroby se dostane v polovině tohoto roku. Následně bude k dostání v telefonech v první polovině roku 2019. Konkurence totiž nespí a TSMC začne vyrábět taktéž na 7nm+ procesu (taktéž EUV litografické) a začnou taktéž tvořit na 5nm.
Poslední čip na FinFET procesu bude ten se 4nm
Čip založen na 5nm LPE poskytne ultra malou spotřebu energie. Poslední čip na FinFET procesu bude 4nm Low Power Early/Plus proces. Tyto čipy budou na tomto technologickém procesu podávat lepší výkon a zároveň nabídnou menší buňky.
Snapdragon 855 na 7nm u Galaxy S10
Samsung taktéž bude tvořit 7nm Snapdragon 855, který bude dostupný v novém Samsung Galaxy S10.
K tomu, aby mohla započíst výroba 3nm, tak Samsung použije svou vlastní novou architekturu MBCFET (multi-bridge-channel FET). 3nm proces nezapočne na výrobě dřív, než v roce 2022.