Samsung má super rychlou paměť MRAM, ale nedokáže jich dost vyrobit
Samsung vyrobil nejrychlejší paměť, která kdy byla stvořena a chce ji ukázat příští měsíc 24. Května. Jedná se o MRAM (zkratka pro magnetoresistantní paměť s náhodným přístupem). Tato technologie dokáže zapisovat až 1000x rychleji než nynější řešení NAND. Zároveň spotřebovává na svůj chod méně energie při svém běhu a když je paměť neaktivní, tak nebere […]
Samsung vyrobil nejrychlejší paměť, která kdy byla stvořena a chce ji ukázat příští měsíc 24. Května. Jedná se o MRAM (zkratka pro magnetoresistantní paměť s náhodným přístupem). Tato technologie dokáže zapisovat až 1000x rychleji než nynější řešení NAND.
Zároveň spotřebovává na svůj chod méně energie při svém běhu a když je paměť neaktivní, tak nebere vůbec nic. Zní to až příliš dobře, než aby to byla pravda. Takže kde je problém?
V této chvíli nedokáže vyrobit víc než pár megabajtů na jednotku. MRAM je tak dobrá pouze jako doplňková mezipaměť pro aplikační procesory. Než se dostane na chytré telefony a další zařízení, tak se Samsung rozhodl spolupracovat s firmou NXP.
Možné využití MRAM již dnes
Díky rychlému a nízké spotřebě energie, je MRAM ideální pro takový typ paměti, na které je často přístup a pomohla tak procesoru operovat mnohem rychleji. Již dnes by díky tomu mohly být chytré telefony zase o něco úspornější.