Samsung již pracuje na 3nm čipech

Samsung již začal pracovat na 3nm čipech. Společnost tak trochu přeskočila ve svém závodě společnost TSMC, která má spustit tuto výrobu někdy ve druhé polovině tohoto roku. Samsung 3nm má umožnit zmenšit čip o 35% a zvýšit o 30% jeho výkon.

Co je na tomto nejlepší, tak je efektivita. Tedy Samsung dokázal snížit energetickou náročnost čipu o 50% oproti 5nm čipům (Snapdragon 888 a Exynos 2100).

To vše dokázal díky novému designu čipu formou GAA. Jde o další krok poté, co pracovali na FinFET procesu. Nyní již pracují na formátu GAAFET, MBCFET na obrázku níže.

Americký prezident Joe Biden navštívil továrnu v Peyongtaek v květnu tohoto roku a byl přímo u představení 3nm čipů. Minulý rok se zároveň hovořilo o tom, že by Samsung mohl v Texasu vybudovat novou továrnu právě na tyto 3nm čipy a to za 10 miliard dolarů. Nyní se hovoří o investici za 17 miliard dolarů s tím, že spuštěna by byla v roce 2024.

Další generace MBCFET pak umožní pracovat na 2nm výrobním procesu, ale ta dorazí podle všeho v roce 2025.