Samsung Galaxy S21 (S30) bude mít pravděpodobně vysokokapacitní LPDDR5 DRAM 16GB
Samsung Galaxy S21 bude mít LPDDR5 1z postaveny na novém výrobním procesu, který zrychlí přenost dat až na 6,4 Mb/s.
Samsung má v plánu nastoupit na novou výrobu 16GB LPDDR5 DRAM s použitím třetí generace 10nm (1z) technologického procesu a to ve druhém pololetí tohoto roku, což je teď.
Výrobu započne na výrobní lince v Peyongtaek v Koreji, kde započne výroba právě 16GB LPDDR5 DRAM na 1z procesu.
Právě tyto nové paměti nabídnou opravdu vysokou přenosovou rychlost a otevřou tak nové dveře v tomto odvětví.
Rychlost LPDDR5 je 6,4 Mb/s, což je o 16% rychleji, než 12GB LPDDR5, které jsou v telefonu Galaxy Note 20.
Dále díky výrobnímu procesu je LPDDR5 o 30% tenčí, než jeho předchůdce a uvnitř telefonu zabere méně místa. Nyní 16GB verze paměti bude mít 8 čipů, kdežto předešlá verze procesu musela mít 12 čipů.
Nové LPDDR5 16GB 1z budou umístěny ve vlajkovém telefonu Galaxy S21.