Samsung Galaxy S11 s DDR5 paměťmi
Nový mobilní telefon Samsung Galaxy S11 dorazí pravděpodobně s novým čipem vyrobeným na druhé generace 7nm procesu s integrovaným 5G modemem.
Příští rok uvidíme opravdu obrovskou konkurenci v oblasti mobilní techniky. Jedná se hlavně o novou generaci čipu Exynos a Snapdragon 865. Nové čipy budou vyrobeny v Samsungu, kde probíhá druhá generace 7nm výrobního procesu.
Samsung Galaxy S10 se Snapdragon 855 byl vyroben pro Americký trh na první generaci 7nm výrobního procesu a Exynos 9820 byl určen pro Evropský trh, avšak s 8nm výrobním procesem.
Další novinkou by měla být integrace modemu do čipu a tím pádem by se zvětšil prostor pro baterií. V této době je čip a modem rozdělen a není součásti jedné platformy.
Hovoří se tedy o integraci 5G modemu v čipu Snapdragon 865 i novém Exynos čipu. Má se jednat o modely Kona a Hurracan. Jeden bude mít integrovaný 5G modem SDX55 a druhý ne.
Krom toho nový čip Snapdragon 865 má disponovat LPDDR5X RAM a UFS 3.0. UFS 3.0 je prozatím standardem u OnePlus 7 Pro. Samsung již oznámil výrobu pamětí LPDDR5, ale dorazit mají až s telefonem Galaxy S11.