Qualcomm odhalil 11nm Snapdragon 665, 730 a 730G

Nový čipy Snapdragon 665,730 a 730 G byly představeny. Tyto čipy jsou postavené na 11nm výrobním procesu, ale také na 8nm výrobním procesu.

Firma Qualcomm odhalila nové čipy, které se budou umísťovat do telefonu. Jedná se o čip Snapdragon 665 postaven na 11nm technologií, Snapdragon 730 na 8nm technologií a 730G s lepší grafikou.

Snapdragon 665

Tento nový čip je nástupcem čipu Snapdragon 660. Je vyroben na menším výrobním procesu a to 11nm LPP, který má přinést lepší výdrž baterie a zároveň snižuje výrobní náklady.

Stejně jako předchozí čip, tak i tento čip má čtyři Kryo 260 jádra postavené na ARM Cortex-A73 s 2GHz frekvencí a čtyři Kryo 260 pro ekonomickou činnost a to na frekvenci 1.8GHz.

Snapdragon 665
Snapdragon 665

Vylepšení by mělo dorazit do oblasti grafiky, kde je Adreno 610 GPU a Hexagon 686 DSP. Snapdragon 665 disponuje obrazovým čipem Spectra 165, který zvládá až 48MPx pro jeden senzor a 16MPx pro duální senzory.

Snapdragon 730 a 730G

Jedná se o nástupce čipu Snapdragon 710. Snapdragon 730 nabídne vylepšené „velká“ jádra Kryo 360 na Cortex-A75 a to na Kryo 470 (Cortex-A76). Maximální frekvence je nastavená na 2.2GHz. Co se týče šesti méně výkonných jáder Cortex-A55, tak ty mají 1.8GHz, 100MHz víc, než předchozí.

V novém čipu je Adreno 618 GPU, které má přinést o 25% lepší výkon ve hrách, dále je tady Hexagon 688 DSP a obrazový čip Spectra 350, který zvládne až 36MPx pro jeden fotoaparát a 22 MPx pro duální fotoaparát. Zvládá také slo-mo videa při 960fps a 720p rozlišení. Není problém 4K rozlišení v portrétovém módu. Nové DSP disponuje také strojovým učením.

Snapdragon 730 je vyroben na 8nm LPP procesu, který je v této době druhý nejlepší a jelikož je čip určen pro střední třídu telefonu, tak je to skvělá zpráva. Zároveň nový výrobní proces přinese lepší výdrž baterie.

Snapdragon 730
Snapdragon 730

Bude tady k dispozici Snapdragon 730G, který slibuje o 15% lepší grafický výkon. Využívá vyšší frekvence. Všechny tyto čipy budou komerčně dostupné v polovině roku 2019.

Zdroj