Samsung odstartoval výrobu páté generace V-NAND flash paměti
Samsung je asi největším výrobcem paměťových čipů po několika let a dnes společnost oznámila výrobu nové generace V-NAND paměťových čipů. Jedná se již o pátou generaci této technologie. Lepší efektivnost a rychlost Podle posledních zpráv nové paměti umožňují až o 40% rychlejší přenos dat mezi úložištěm a RAM. Podle všeho dosahují rychlosti 1.4Gbps. Krom výkonu […]
Samsung je asi největším výrobcem paměťových čipů po několika let a dnes společnost oznámila výrobu nové generace V-NAND paměťových čipů. Jedná se již o pátou generaci této technologie.
Lepší efektivnost a rychlost
Podle posledních zpráv nové paměti umožňují až o 40% rychlejší přenos dat mezi úložištěm a RAM. Podle všeho dosahují rychlosti 1.4Gbps. Krom výkonu jsou paměti také efektivní co se týče využití baterie, protože stačí pro napájení pouze 1.2 Voltů oproti 1.8 Voltů.
5. generace V-NAND čipů jsou vytvořeny podobně jako předchozí generace, ale namísto 64 vrstev je použito 90 vrstev 3D buněk. Jsou postaveny jakoby do pyramidové struktury. Všechno je na nanometry široké a čip obsahuje 85 miliard CTF buněk, kde každá z nich pojme tři bity.
Vše má za následek lepší zápis okolo 30% navýšení oproti předchůdci a lepší odezvu. Je pravděpodobné, že tato nová paměť se umístí v novém telefonu Samsung Galaxy S10.