Nový Samsung čip pro USB PD s podporou 100W
Samsung nabízí kvalitní čip, který zvládá přenos výkonu o hodnotě 100W. Zároveň nabízí novou úroveň šifrování.
Samsung chce zrychlit nabíjení telefonu v následujících telefonech a to právě s novým čipem. Oba čipy SE8A a MM101 jsou zakomponované ve flashi a je otevřen pro budoucí modifikace k tomu, aby mohlo do telefonu proudit až 100W.
Určitě si nemyslete, že do telefonu půjde celých 100W neustále, to by se pak mohlo stát, že by telefon vybouchl, protože by se nedokázal ani chladit. Nicméně nový čip USB-PD 3.0 umí efektivně řídit nabíjecí rychlost a takovou rychlost lze využít pouze s nabíječkami, které jsou certifikované pro čip SE8A.
Vysoká bezpečnostní třída
Zároveň SE8A nabízí EAL5+ bezpečnostní třídu, která dokáže chránit citlivá data a ukládá bezpečnostní klíč. Přes tyto čipy totiž proudí také data do telefonu a ty musí být nějakým způsobem chráněna. Čipy pak předávají informace základní desce telefonu a to vše pak zpracuje hlavní jednotka procesor.
Čip MM101 přichází s vlastním AES šifrovacím algoritmem a zároveň zvládá nastavit optimální nabíjecí podmínky.
Samsung už započal výrobu čipu SE8A.