IBM může přijít s technologií, která nahradí RAM a FLASH paměť v mobilech

Tato zpráva o možném nahrazení přišla v úterý večer. Tým vědců vytvořili optické úložiště, které by mohlo nahradit RAM a flash úložiště v budoucnu v chytrých telefonech. Jmenuje se to „Phase-Change Memory“ (PCM).

Tato technologie by mohla nahradit standardní RAM ale jen v případě, pokud se najde cesta skrz nízké výrobní náklady.

Co to je Phase Change Memory (PCM)?

Je to typ paměti, který uchová svůj obsah i v případě vypnutí počítače nebo mobilního telefonu, což je mnohem rychlejší než typické flash paměti. Jedná se o rychlost od 500 až 1000x rychlejší, a také spotřebuji o polovinu méně energie (jedna z výhod proč je dát je do mobilních telefonu). Polovinu méně energie spotřebuje proto, že má nižší elektrický odpor díky krystalické fázi, která je tady použita. Technologie využívá elektrický proud pro zápis a čtení z amorfního skla.

Kde už byla technologie použita?

PCM byla využita už v optických discích a jiné technologii přes 15 let. IBM ale nepřišla na to, jak zredukovat cenu, také navrhli, jak uložit 3 bitová data na jednu buňku i ve vysokých teplotách. Na IEEE International Memory Workshop v Paříži měla tato technologie PCM nižší cenu než je obvykle, takže je levnější než DRAM.

Na rozdíl od RAM, tak PCM neztratí data, pokud je zařízení vypnuto (jak jsme vysvětlili výše).

IBM řekl, že by telefon mohl mít uložený systém v PCM a tím načíst zařízení během sekundy.

Kdy to bude?

Kdy tak nastane bohužel nevíme, ale věříme, že již brzy. Telefony by tak mohly být mnohem rychlejší.