CES 2017: Qualcomm Snapdragon 835 – dravec na poli chipsetů
Dlouho očekávané oznámení proběhlo 4. Ledna 2017, kdy měl Qualcomm svou prezentaci. Firma se soustředila, aby byl chipset mnohem lepší než Snapdragon 820, který disponuje velmi vysokým výkonem. Snapdragon 835 je první komerční chipset fungující na 10nm FinFET procesu. Snapdragon 835 byl vytvořen tak, aby byl schopný rozběhnout mobilní počitačový systém Windows 10 s plnou […]
Dlouho očekávané oznámení proběhlo 4. Ledna 2017, kdy měl Qualcomm svou prezentaci. Firma se soustředila, aby byl chipset mnohem lepší než Snapdragon 820, který disponuje velmi vysokým výkonem. Snapdragon 835 je první komerční chipset fungující na 10nm FinFET procesu. Snapdragon 835 byl vytvořen tak, aby byl schopný rozběhnout mobilní počitačový systém Windows 10 s plnou podporou.
Kryo architektura
Nový chipset má stejnou Kryo architekturu CPU, jakou nalezneme na každém Snapdragon 82X, s Kryo 280 jsou vždy čtyři jádra, které se soustředí na efektivitu a pak 4 jádra, která se soustředí na výkon a jsou taktovaná na 2.45GHz.
Snapdragon 835 je o 35% menší a dokáže spotřebovat 25% méně energie, to znamená, že by měly mít telefony větší výdrž.
Adreno 540 s obrovským výkonem
Podpora OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan API, DirectX 12. Všechny tyto funkcionality vytvářejí vysoký grafický výkon pro mobilní hry a virtuální realitu.
Co se týče zlepšení výkonu, tak ten je 25%. Adreno 540 podporuje 4K (UHD) video nahrávání s 30FPS a 60FPS, 4K přehrávání. Tento chipset také oficiálně podporuje Google Daydream platformu. Je také zlepšený proces zpracovávání obrázků. S tímto chipsetem dokážou vývojáři vyrobit telefon s kamerami 32MPx nebo duálními kamerami 16MPx.
Zabezpečení na vysoké úrovni
Chipset nabízí spoustu bezpečnostních vychytávek. Společnost to nazývá „Ráj bezpečnosti“.
X16 LTE modem je umístěn jako první ve Snapdragon 835. Je tady podpora Cat. 16 s teoretickou rychlosti stahování 1 Gbps a Cat 13 upload s teoretickou rychlostí 150 Mbps. Jedná se také o první chipset s podporou Bluetooth 5.0, přes který dokážete přenášet rychlostí 2 MBps.
Taktéž se nezapomnělo na vylepšené „rychlé nabíjení“ Quick Charge 4.0. Podle všeho bude o 20% rychlejší a o 30% více efektivnější než Quick Charge 3.0.
Qucik Charge 4.0 podporuje USB-C
Kdy bude v mobilech
Snapdragon 835 se v této chvíli hromadně vyrábí a zákazníci je mohou vidět v telefonech v první polovině roku 2017. V Samsung Galaxy S8 nebo LG G6.